усе прадукты

100A240JW150XT 24pf 0505 5% 150В

Нумар дэталі: 100A240JW150XT Вытворца: American Technical Ceramics (ATC), кампанія KYOCERA AVX Тып прадукту: шматслойны керамічны кандэнсатар (MLCC) з высокім Q, нізкім СОЭ, тэмпературным каэфіцыентам P90, радыёчастотны і мікрахвалевы кандэнсатар,...

600S3R0BW250XT 3,0 пф 0603 ±0,1% 250 В

Нумар дэталі: 600S3R0BW250XT Вытворца: American Technical Ceramics (ATC), кампанія KYOCERA AVX Тып прадукту: Ультранізкі СОЭ, высокі Q, C0G/NP0 ВЧ і мікрахвалевы шматслойны керамічны кандэнсатар (MLCC) Пакет: 0603 (1608 метрычных) прылад для...

3,3PF 0603 ±0,1% 250В

Нумар дэталі: 600S3R3BT250XT Вытворца: American Technical Ceramics (ATC), кампанія KYOCERA AVX Тып прадукту: Ультранізкі СОЭ, высокі Q, NPO/C0G ВЧ і мікрахвалевы шматслойны керамічны кандэнсатар (MLCC) Пакет: 0603 (1608 метрычных) прылад для...

Мікрахвалевы шматслаёвы керамічны чып-кандэнсатар

Асноўная інфармацыя Вытворца: American Technical Ceramics (ATC), кампанія KYOCERA AVX Тып прадукту: Ультранізкі СОЭ, высокі Q, NPO (C0G), радыёчастотны і мікрахвалевы шматслойны керамічны чып-кандэнсатар (MLCC) Серыя: серыя 600S (стандартны памер...

BLF647P ВЧ MOSFET LDMOS 32V LDMOST

BLF647P Пераклад на ангельскую мову BLF647P - гэта шырокапалосны радыёчастотны транзістар LDMOS магутнасцю 200 Вт вытворчасці Ampleon (раней NXP). Яго працоўны дыяпазон частот ахоплівае ВЧ да 1500 МГц, у асноўным прызначаны для высокамагутных...

Прылада Advanced Power LDMOS BLP15M9S70Z

Нумар дэталі: Ampleon BLP15M9S70 Тып прылады: N-канальны радыёчастотны транзістар магутнасці LDMOS, тэхналогія 9-га пакалення, сілкаванне 32 В, шырокапалосны (1 МГц–2 ГГц), аптымізаваны для ISM/вяшчання/ўзмацняльнікаў магутнасці РЧ агульнага...

3,6PF 0603 ±0,25pf 250В

Частка №: 600S3R6CT250XT Вытворца: American Technical Ceramics (ATC, цяпер KYOCERA AVX) Катэгорыя: Ультра-нізкі ESR, High Q, NPO (C0G) Шматслаёвы керамічны кандэнсатар (MLCC) для ВЧ/МІЧ Тэхнічныя характарыстыкі Ёмістасць: 3,6 пФ Дапушчальнае...

Шматслаёвы керамічны чып-кандэнсатар высокай якасці

Асноўная інфармацыя Вытворца: ATC (American Technical Ceramics), брэнд KYOCERA AVX Тып прадукту: шматслаёвы керамічны чып-кандэнсатар высокай якасці Серыя: 100A Porcelain Superchip Series Частка №: 100A5R1BW150XT Тлумачэнне нумара дэталі 100A: серыя...

BLC10G18XS-552AVT ВЧ MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-552AVT - транзістар Power LDMOS BLC10G18XS-552AVT — асіметрычны транзістар магутнасці Доэрці LDMOS 10-га пакалення ад Ampleon (Нідэрланды), аптымізаваны для канчатковых узмацняльнікаў магутнасці макра базавых станцый 4G/5G у дыяпазоне...

BLC10G22XS-600AVT ВЧ MOSFET LDMOS

BLC10G22XS-600AVT - транзістар Power LDMOS BLC10G22XS-600AVT — асіметрычны сілавы транзістар Доэрці LDMOS 10-га пакалення кампаніі Ampleon, які працуе на частаце 2110 ~ 2170 МГц. Аптымізаваны для макрабазавых станцый 4G/5G і канчатковых...

B10G2527N10DLZ радыёчастотны MOSFET MMIC

2-ступеністы MMIC Доэрці B10G2527N10DL - гэта 2-ступеністы цалкам інтэграваны ўзмацняльнік Doherty MMIC, заснаваны на сучаснай тэхналогіі LDMOS ад Ampleon, аптымізаваны для базавых станцый 5G NR сярэдняга дыяпазону 2500–2700 МГц (2,5–2,7 ГГц),...

ВЧ-сілавы транзістар з нітрыду галію C4H2350N10Z

Мадэль: C4H2350N10Z (базавая мадэль: C4H2350N10) Вытворца: Ampleon Тып прадукту: радыёчастотны сілавы транзістар з нітрыду галію (GaN) (дызайн з адным затворам, аптымізаваны для шырокапалосных прыкладанняў) Асноўныя характарыстыкі Асаблівасці і...

C4H2327N55PZ ВЧ MOSFET GAN

Сілавы транзістар GaN Мадэль: C4H2327N55Pz (стандартная мадэль: C4H2327N55PZ) Вытворца: Ampleon Тып прадукту: Радыёчастотны сілавы транзістар Доэрці ў нітрыдзе галію (GaN) (аптымізаваны для шырокапалосных базавых станцый 2,3–2,69 ГГц) Асноўныя...

BLM9D2527-09AMZ Магутны транзістар LDMOS

2-ступеністы MMIC Доэрці Мадэль: BLM9D2527-09AMZ (стандартная мадэль: BLM9D2527-09AM, Z абазначае ўпакоўку для стужкі і шпулькі) Вытворца: Ampleon Тып прадукту: 2-ступеністы цалкам інтэграваны ўзмацняльнік магутнасці LDMOS 9-га пакалення 28 В...

ВЧ-ўзмацняльнік BLM9D2324-08AMZ AMPLEON

2-ступеністы MMIC Доэрці Мадэль: BLM9D2324-08AMZ (стандартная мадэль: BLM9D2324-08AM, Z абазначае ўпакоўку для стужкі і шпулькі) Вытворца: Ampleon Тып прадукту: 2-ступенчаты цалкам інтэграваны ўзмацняльнік магутнасці LDMOS 28 В 9-га пакалення...

ВЧ-ўзмацняльнік магутнасці B10G3336N16DL

B10G3336N16DL - гэта 2-ступеністы MMIC Doherty Мадэль: B10G3336N16DL Вытворца: Ampleon Тып прадукту: 3-ступеністы цалкам інтэграваны ўзмацняльнік магутнасці Doherty MMIC 28V LDMOS 10-га пакалення, аптымізаваны для дыяпазону 3,3–3,6 ГГц (ахоплівае...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ радыёчастотны ўзмацняльнік магутнасці

BLM9D3842-16AM LDMOS 3-ступеністы інтэграваны Doherty MMIC Мадэль: BLM9D3842-16AMZ Вытворца: Ampleon Тып прадукту: 9-е пакаленне 28V LDMOS 3-ступеністы цалкам інтэграваны Doherty MMIC радыёчастотны ўзмацняльнік магутнасці, аптымізаваны для дыяпазону...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ радыёчастотны ўзмацняльнік магутнасці

BLM9D3438-16AM LDMOS 3-ступеністы інтэграваны Doherty MMIC Мадэль: BLM9D3740-16AM Вытворца: Ampleon Тып прадукту: 9-е пакаленне 28V LDMOS 3-ступеністы цалкам інтэграваны радыёчастотны ўзмацняльнік магутнасці Doherty MMIC, аптымізаваны для дыяпазону...

BLP05H9S500P ВЧ MOSFET LDMOS

Мадэль: BLP05H9S500P Вытворца: Ampleon Тып прадукту: Двухтактны транзістар магутнасці LDMOS, аптымізаваны для дыяпазону ISM 423–443 МГц (асноўныя частоты для прамысловых, навуковых і медыцынскіх прыкладанняў, якія ахопліваюць 433 МГц асноўнай...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z ВЧ MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 - гэта LDMOS радыёчастотны транзістар магутнасцю 250 Вт, выраблены кампаніяй Ampleon, спецыяльна распрацаваны для прымянення бесперапыннай хвалі (CW) высокай магутнасці ў дыяпазоне 2400–2500 МГц (дыяпазон ISM 2,45 ГГц). Ён запакаваны...

CLL3H0914LS-700U 700 Вт GaN SiC HEMT

Нумар дэталі: CLL3H0914LS-700U Вытворца: Ampleon Тып прылады: L‑дыяпазон, 700 Вт GaN‑SiC HEMT (Транзістар з высокай рухомасцю электронаў з карбіду крэмнію нітрыду галію), унутраная папярэдне ўзгодненая + сетка стабільнасці, 0,9–1,4 ГГц, корпус без...

BLP2425M10S250PY Магутны транзістар LDMOS

BLP2425M10S250P - гэта РЧ-транзістар магутнасцю 250 Вт на аснове LDMOS вытворчасці Ampleon, прызначаны для прымянення бесперапыннай хвалі высокай магутнасці ў дыяпазоне частот 2400–2500 МГц (дыяпазон ISM 2,45 ГГц). Асноўныя характарыстыкі Высокая...

B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D радыёчастотны ўзмацняльнік магутнасці

2-ступеністы MMIC Доэрці Мадэль: B11G3742N81D Вытворца: Ampleon Тып прадукту: Двухсекцыйны LDMOS 11-га пакалення 28 В, 3-ступеністы цалкам інтэграваны радыёчастотны ўзмацняльнік магутнасці Doherty MMIC, аптымізаваны для дыяпазону 3,7–4,2 ГГц...

Ampleon BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS

BLP15H9S100G Power LDMOS транзістар Вяшчальныя сістэмы сувязі Радыёперадатчыкі AM/FM, лічбавае вяшчанне DAB/DRM, радыёстанцыі экстранай сувязі, абсталяванне наземнай марской і авіяцыйнай сувязі, рэтранслятары сігналаў. Прамысловае радыёчастотнае...