CLL3H0914LS-700U 700 Вт GaN SiC HEMT

Асноўныя характарыстыкі (Tcase=25°C, VDS=50V, tp імпульсу=100 мкс, δ=10%, клас‑AB)

• Дыяпазон частот: 0,9 ГГц ~ 1,4 ГГц (L‑дыяпазон)
• Напружанне сілкавання зліву (VDS): 50 В (тып.), Макс. 150 В
• Ток спакою (IDq): 500 мА (тып.)
• Насычаная выхадная магутнасць (PL(sat)): 725–850 Вт (58,6–59,3 дБм)
• Узмацненне магутнасці (Gp): 16–17 дБ (тып.)
• Эфектыўнасць спажывання (ηD): 62–71 % (тып. 1,2–1,4 ГГц)
• Уваходныя зваротныя страты (RLin): −10 ~ −16 дБ (тып.)
• Упакоўка: SOT502B (кераміка без вушэй з фланцам), 2 провада, высокае цеплавыдзяленне
• Цеплавое супраціўленне (злучэнне з корпусам): Стабільны стан 0,38 К/Вт；Імпульс (3 мс) 0,24 К/Вт
• Характарыстыкі: унутранае папярэдняе ўзгадненне + сетка стабільнасці, абарона ад ESD, высокая цярпімасць да неадпаведнасці (КСВ=10:1), высокая эфектыўнасць, нізкае цеплавое супраціўленне.

Асноўныя характарыстыкі

• GaN‑SiC 3-га пакалення: высокая шчыльнасць магутнасці, высокая эфектыўнасць, высокая тэмпература спалучэння (225°C), пераўзыходзіць LDMOS；
• 0,9–1,4 ГГц звышшырокапалосны: радар L-дыяпазону (960/1030/1090/1215 МГц), аэракасмічны, ECM；
• Унутранае папярэдняе ўзгадненне + стабільнасць: спрашчэнне знешняга супастаўлення, скарачэнне цыкла распрацоўкі, стабільнасць шырокапалоснага злучэння；
• Высокая трываласць: устойлівасць да несупадзення (КСВ=10:1 усе фазы), устойлівасць да імпульсных скокаў, падыходзіць для працы з доўгімі/кароткімі імпульсамі；
• Керамічны пакет з фланцам без вуха (SOT502B): больш кампактны, чым SOT502A, звышнізкі цеплавы супраціў, выдатнае рассейванне цяпла, высокая надзейнасць для доўгатэрміновай працы з высокай магутнасцю；
• Адпаведнасць RoHS: не змяшчае свінцу, экалагічна чысты.

Тыповыя прымянення

• Канчатковы ўзмацняльнік высокай магутнасці імпульснага радара L-дыяпазону (клас 700 Вт, 960–1215 МГц)；
• Аэракасмічны транспондер 1030 МГц / перадатчык DME；
• Электронныя сродкі процідзеяння (ECM), шырокапалосныя радыёперашкоды высокай магутнасці；
• Прамысловыя, навуковыя, медыцынскія (ISM) высокачашчынныя крыніцы высокай магутнасці；
• Замена састарэлым LDMOS (напрыклад, BLL9G1214L-600), палепшаная эфектыўнасць і шчыльнасць магутнасці.

Вызначэнне нумара дэталі

• CLL: C‑дыяпазон/L‑дыяпазон, GaN HEMT, сілавы транзістар
• 3: Працэс GaN 3-га пакалення
• H0914: дыяпазон частот 0,9–1,4 ГГц
• LS: паласа L, фланцавая ўпакоўка без вушэй (SOT502B)
• Намінальная магутнасць 700: 700 Вт (насычаны выхад)
• U: упакоўка ў латок, несухая