BLC9H10XS-350A ВЧ MOSFET LDMOS 50 В SOT1273

Асноўныя характарыстыкі

• Дыяпазон частот: 617 МГц ~ 960 МГц
• Напружанне сілкавання сцёку (VDS): 48 В (тып.), Макс. VDS: 105 В
• Выхадная магутнасць: 350 Вт (1-нясучая W-CDMA, PAR=9,6 ​​дБ)
• Узмацненне магутнасці: 18,9 дБ (тып.)
• Эфектыўнасць зліву: 55,1 % (тып.)
• Упакоўка: пакет безвушных рэзонатараў з фланцамі SOT1273‑1 (5 адводаў)
• Цеплавое супраціўленне (злучэнне з корпусам): 0,32 К/Вт
• Характарыстыкі: нізкі эфект памяці, сумяшчальнасць з DPD, інтэграванае ўзгадненне шырокапалоснага ўваходу, абарона ад ESD

Асноўныя характарыстыкі

• Тэхналогія LDMOS 9-га пакалення з асіметрычнай архітэктурай Doherty забяспечвае высокую магутнасць, эфектыўнасць і лінейнасць；
• Шырокапалоснае пакрыццё ніжэй за 1 ГГц падтрымлівае 4G LTE, 5G NR, 3G W-CDMA і іншыя шматстандартныя сігналы з высокім PAR；
• Убудаванае ўзгадненне шырокапалоснага ўваходу спрашчае знешнія схемы і зніжае складанасць канструкцыі；
• Нізкая выхадная ёмістасць і нізкі эфект памяці забяспечваюць выдатную прадукцыйнасць DPD для складаных сцэнарыяў з некалькімі носьбітамі；
• Нізкае цеплавое супраціўленне забяспечвае найвышэйшае цеплавыдзяленне і доўгатэрміновую стабільнасць працы；
• Убудаваная абарона ад электрастатычнага разраду і адпаведнасць RoHS забяспечваюць высокую надзейнасць.

Тыповыя прымянення

• Канчатковы ўзмацняльнік для макрабазавай станцыі 4G/5G RRU/AAU (617–960 МГц)；
• Магутныя перадатчыкі з некалькімі нясучымі ніжэй за 1 ГГц;
• Прыватныя бесправадныя сеткі, грамадская бяспека, высокамагутнае радыёчастотнае абсталяванне дыяпазону ISM.

Вызначэнне нумара дэталі

• BLC: LDMOS-транзістар базавай станцыі без вуха з фланцавым рэзонатарам
• 9: працэс LDMOS 9-га пакалення
• H: Высокая магутнасць / высокая эфектыўнасць
• 10:617–960 МГц частотная платформа
• XS: асіметрычная канфігурацыя Doherty
• Намінальная магутнасць 350:350 Вт
• A: Стандартная версія