BLC10G19XS-600AVT ВЧ MOSFET LDMOS

Get Latest Price

мінімум заказ:

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

Ўпакоўка і дастаўка

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: BLC10G19XS-600AVT BLC10G19XS-600AVTZ BLC10G19XS-600AVTY

марка: АМПЛЕОН

Ўпакоўка і дастаўка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Апісанне Прадукта

HF/VHF Power LDMOS

BLC10G19XS-600AVT - гэта асіметрычны сілавы LDMOS-транзістар Доэрці 10-га пакалення кампаніі Ampleon, які працуе на частаце 1930～1995 МГц. Аптымізаваны для макрабазавых станцый 4G/5G і канчатковых узмацняльнікаў магутнасці mMIMO, ён забяспечвае звышвысокую магутнасць 600 Вт, высокую эфектыўнасць і цудоўную лінейнасць. Суфікс "T" абазначае стандартную бессвінцовую ўпакоўку, якая адпавядае патрабаванням RoHS і ідэальна падыходзіць для ўзмацнення РЧ базавай станцыі высокай магутнасці.

Ён аб'ядноўвае асіметрычную тапалогію Доэрці (несущая + пікавыя шляхі) з унутраным папярэднім узгадненнем, адрозніваючыся высокай шчыльнасцю магутнасці, нізкім эфектам памяці і найвышэйшай цеплавой стабільнасцю, што спрашчае перыферыйныя схемы для кампактных базавых станцый высокай магутнасці PA.

Асноўныя характарыстыкі

Вытворца: Ampleon
Нумар дэталі: BLC10G19XS-600AVT
Дыяпазон частот: 1930 ~ 1995 МГц (5G NR n1/n3, сумяшчальны з LTE Band1)
Тыповая выхадная магутнасць насычэння: 600 Вт (адна прылада)
Узмацненне магутнасці: 15,5 дБ тыпова (сілкаванне 30 В)
Эфектыўнасць зліву: 50% тыповая (рэжым Доэрці)
Напружанне сілкавання: 30 В (рэкамендуецца 28–32 В)
Ток спакою: 1060 мА (асноўны шлях)
Упакоўка: SOT1258-4 (пластык з паветранай камерай, цеплавая канструкцыя высокай магутнасці)
Тэхналогія: крэмніевы LDMOS 10-га пакалення (GEN10 LDMOS)
Статус: у вытворчасці (сумяшчальны з RoHS)

Асаблівасці

Тэхналогія LDMOS 10-га пакалення, звышвысокая магутнасць 600 Вт з аптымізаванай апорнай/пікавымі траекторыямі для асіметрычнай працы Doherty
Шырокапалоснае пакрыццё 1,93G～1,995G, падтрымка мульты-стандартаў LTE/5G NR для макрабазавых станцый
Выдатная лінейнасць, нізкі эфект памяці, падтрымка DPD для аптымальнай лінеарызацыі і найвышэйшага ACPR
Убудаваны ўваходны/вывадны папярэдні ўзгадненне, сумяшчальнасць з 50 Ом, мінімальная спецыфікацыя, без складанай налады
Нізкае цеплавое супраціўленне, выдатная цеплавая стабільнасць, трываласць КСВ 10:1 для высокай надзейнасці
Убудаваная абарона ад ESD, RoHS‑сумяшчальны, працоўная тэмпература: -40℃～+125℃

Прыкладанні

Макрабазавая станцыя 4G/5G і канчатковыя ўзмацняльнікі высокай магутнасці mMIMO
Высокамагутнае радыёчастотнае ўзмацненне для бесправадной інфраструктуры 1,93–1,995 ГГц
Высокаэфектыўныя ўзмацняльныя модулі Doherty, кампактныя радыёчастотныя перадатчыкі высокай магутнасці
Каскады драйвера высокай магутнасці базавай станцыі (папярэдні ўзмацняльнік для канчатковых транзістараў)

Гарачыя прадукты