BLM10D2327-40ABZ ВЧ-ўзмацняльнік магутнасці

BLM10D2327-40ABZ ВЧ-ўзмацняльнік магутнасці

Get Latest Price

мінімум заказ:

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

Ўпакоўка і дастаўка

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: BLM10D2327-40ABZ BLM10D2327-40AB

марка: АМПЛЕОН

Ўпакоўка і дастаўка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Апісанне Прадукта

BLM10D2327-40AB LDMOS 2-ступеністы інтэграваны Doherty MMIC

Мадэль: BLM10D2327-40ABZ

Вытворца: Ampleon

Тып прадукту: 2-ступеністы цалкам інтэграваны асіметрычны ўзмацняльнік магутнасці LDMOS 10-га пакалення 28 В Doherty MMIC, аптымізаваны для 2,5–2,7 ГГц 5G NR n78 дыяпазону невялікіх сот і масіўных прыкладанняў MIMO

Асноўныя характарыстыкі

Parameter	Specification
Frequency Range	2500 MHz ~ 2700 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band)
Peak Output Power	40W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration (45.7dBm typical)
Typical Power Gain	28.9 dB (Doherty operation mode, at 37.6dBm average output power)
Typical Drain Efficiency	44.5% (at 8.7dB OBO, 1-carrier LTE 20MHz signal)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current	45 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	20-PQFN (SOT1462-1), 8x8x2.1mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input, 20Ω output pre-match, simplifying external matching design
Architecture	Fully integrated asymmetric Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier and peaking amplifier paths
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.6 K/W (at PL=5.75W)

Асаблівасці і перавагі

Прымяняе ўдасканалены працэс LDMOS Ampleon 10-га пакалення, дасягаючы балансу паміж высокай выходнай магутнасцю 40 Вт і высокай эфектыўнасцю 44,5%, што ідэальна падыходзіць для мадуляваных сігналаў 5G з высокім PAPR.
Аптымізаваная асіметрычная архітэктура Doherty забяспечвае выдатную магчымасць карэкцыі папярэдніх лічбавых скажэнняў (DPD), забяспечваючы выдатны каэфіцыент магутнасці суседняга канала (ACPR) на ўзроўні -39,1 дБн пасля DPD, што адпавядае строгім патрабаванням лінейнасці для базавых станцый 5G.
Цалкам інтэграваная канструкцыя (убудаваны раздзяляльнік, камбайнер, перадматчавая сетка) значна спрашчае распрацоўку ВЧ-друкаванай платы і паскарае час выхаду на рынак малых сот.
Незалежны кантроль несучай і пікавага зрушэння дазваляе гнутка аптымізаваць лінейнасць і эфектыўнасць у розных умовах працы.
Убудаваная схема абароны ад электрастатычнага разраду (CDM клас C3, HBM клас 1C) павышае надзейнасць прылады падчас вытворчасці і прымянення, зніжаючы рызыку пашкоджання.
Выдатная ўстойлівасць да неадпаведнасці нагрузкі, здольная вытрымліваць КСВ = 10:1 на ўсіх фазах, паляпшаючы трываласць сістэмы.
Шырокая роўнасць узмацнення (толькі 0,5 дБ у дыяпазоне 2515-2675 МГц), падыходзіць для шырокапалосных сістэм сувязі з некалькімі аператарамі.
Сумяшчальны з RoHS, прыдатны для будаўніцтва і разгортвання глабальнай інфраструктуры сувязі 5G.

Прыкладанні

Блокі ўзмацнення магутнасці апошняй каскады РЧ для базавых станцый малой сотавай сеткі 5G NR n78 (2,5-2,7 ГГц)
ВЧ інтэрфейсныя модулі для масіўных базавых станцый MIMO (mMIMO).
Базавыя станцыі сувязі 4G/5G з агрэгацыяй некалькіх нясучых (CA).
Сістэмы радыёчастотнай перадачы для прыватнай сеткі сувязі і прамысловага Інтэрнэту рэчаў (IIoT)
Праекты мадэрнізацыі і рэканструкцыі інфраструктуры бесправадной сувязі
Абсталяванне сувязі, сумяшчальнае з некалькімі стандартамі (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).

Гарачыя прадукты